特許
J-GLOBAL ID：200903071299603300
薄膜光電変換素子の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150210
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】可撓性フィルム基板上に電極層、半導体層等を積層した薄膜光電変換素子の製造方法において、特性の優れた、均一性の良い薄膜光電変換素子を得る。【解決手段】可撓性フィルム基板を巻いた少なくとも一つのロールを有するロールカセット4を用い、そのロールカセット4を各層を形成するための互いに独立した準備室5、前処理室6、電極成膜室7、半導体層成膜室8に順次装着および脱着をしながら、積層構造を形成する。
請求項（抜粋）：
帯状の可撓性フィルム基板の上に、複数の異なる性質の薄膜を基板を搬送しながら連続的に積層して、光電変換層を形成する薄膜光電変換素子の製造方法において、可撓性フィルム基板を巻いた少なくとも一つのロールを有するカセットを用い、そのカセットを各層を形成するための互いに独立した成膜室に順次装着および脱着をしながら、積層膜を形成することを特徴とする薄膜光電変換素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23C 14/56
, H01L 21/205
H01L 31/04 V
, C23C 14/56 A
, H01L 21/205
