特許

J-GLOBAL ID：200903071299739830

光電子デバイス用ガリウム酸化物被膜

発明者： ニロイ クマー ダッタ ,  ルーゼル ジェー.フィッシャー ,  ネイル エドムンド ジェームス ハント ,  マシアス パスラック ,  アードマン フレデリック シュバート ,  ジョージ ジョン ヅィドヅィック
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063713
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273405
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、光電子デバイス用ガリウム酸化物被膜を提供する。【構成】 光電子III-V又はII-VI半導体デバイスは、低密度の禁制帯中央付近の界面準位を実現する光学特性を有する薄膜被膜を含む。III-V半導体上の反転チャネル用の電界効果デバイスも、必要な界面特性を実現する薄い誘電体薄膜を含む。薄膜はまた、電子的III-Vデバイスの露出された表面の状態を保護するためにも、適用できる。

請求項（抜粋）：

III-V又はII-VI化合物半導体を含む半導体表面及び前記表面の少くとも1つの領域上の、ガリウム酸化物の被膜を含む光電子デバイスの作製プロセスにおいて、前記ガリウム酸化物は禁制帯中央付近の界面準位密度が低い化学量論的組成のGa2 O3 の薄膜で、前記Ga2 O3 被膜は前記半導体表面上に、電子ビーム蒸着により、高純度単結晶Gd3 Ga5 O12源を用い、前記半導体表面を40ないし370°Cの範囲の温度に保ち、1×10-10 Torr又はそれ以上のバックグランド圧力において堆積させることを特徴とするプロセス。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00