特許
J-GLOBAL ID：200903071300046894
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149490
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343798
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 駆動時の熱クロストーク(相互熱干渉)を抑制する構造のマルチビーム半導体レーザを提供する。【構成】 熱抵抗の低いGaAs基板10上に、第一のクラッド層12、活性層13、第二のクラッド層14を少なくともこの順に成長させ、独立駆動構造の二つのレーザ共振器を形成するとともに、第一及び第二のクラッド層12、14を、熱抵抗の高いGaInP、AlGaInP、AlInPのいずれかを含む半導体混晶、又はGaInPとAlGaInPとAlInPとを混合して成る半導体混晶にて形成し、GaAs基板10との熱抵抗比を従来よりも大にした。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaAs基板上に、第一導電型半導体混晶の第一のクラッド層と、アンドープ半導体混晶の活性層と、第二導電型半導体混晶の第二のクラッド層とが少なくともこの順に形成され、更に、前記第二のクラッド層表面を電流ブロック層にて所定間隔に分離された複数のストライプ領域となし、独立駆動構造の複数のレーザ共振器が形成された半導体レーザにおいて、前記第一及び第二のクラッド層が、GaInP、AlGaInP、AlInPのいずれかを含む半導体混晶であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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