特許

J-GLOBAL ID：200903071301149158

半導体装置

発明者： 土谷 政信 ,  堀 志津江 ,  大澤 明彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056187
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】RFP構造を有する高耐圧ダイオードの静耐圧および過渡的耐圧をそれぞれ高くし、高温動作時にも安定した耐圧を実現する。【解決手段】n型半導体基板1の主表面に選択的に形成されたp型拡散層からなるアノード領域2と、アノード領域を所定の間隔で取り囲むn+ 型拡散層からなるチャネルストッパー領域3と、フィールド領域10上に形成された第1の絶縁膜4と、第1の絶縁膜上に形成された半導電性膜7と、半導電性膜の上面および側壁面を覆う第2の絶縁膜8と、アノード領域2の一部上で第1の絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通してアノード領域にコンタクトするアノード電極5と、第1の絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通してチャネルストッパー領域にコンタクトするチャネルストッパー電極6と、基板の裏面に形成されたカソード電極9とを具備する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に選択的に形成された前記第1導電型とは逆の第2導電型の不純物拡散層からなるアノード領域と、前記半導体基板の主表面で前記アノード領域を取り囲み、かつ、前記アノード領域とは所定の間隔を有する第1導電型の高濃度の不純物拡散層からなるチャネルストッパー領域と、前記半導体基板の主表面における前記アノード領域・チャネルストッパー領域間のフィールド領域上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された半導電性膜と、前記半導電性膜の上面および側壁面を覆うように形成された第2の絶縁膜と、前記アノード領域の一部上で前記第1の絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通して前記アノード領域にコンタクトしたアノード電極と、前記第1の絶縁膜に開口されたコンタクトホールを通して前記チャネルストッパー領域にコンタクトしたチャネルストッパー電極と、前記半導体基板の裏面に形成されたカソード電極とを具備することを特徴とする半導体装置。