特許

J-GLOBAL ID：200903071304581689

半導体装置の製造方法、電子機器

発明者： 湯田坂 一夫 ,  田中 英樹
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-060519
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251987
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 下層側の層にダメージを与えずに層間の接続をとることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体膜11の所定の位置に導電部材Ms,Mdを形成する工程と、前記導電部材Ms,Mdを除いた基板10の全面に絶縁膜12を形成する工程と、前記絶縁膜12の上に、前記導電部材Ms,Mdを介して前記半導体膜11と電気的に接続される導電膜13を形成する工程とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜、絶縁膜、導電膜を積層してなる半導体装置の製造方法であって、 前記半導体膜の所定の位置に導電部材を形成する工程と、 前記導電部材を除いた基板の全面に前記絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の上に、前記導電部材を介して前記半導体膜と電気的に接続される前記導電膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/768 ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (6件)：

H01L21/90 C ,  H01L21/20 ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617V

Fターム (102件)：

4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104EE03 ,  4M104GG20 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK04 ,  5F033NN19 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-070937   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (7件)

• 特開平4-345053
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-316822   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 被処理部材の保管方法およびパターン形成方法、デバイス、並びにデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-081215   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-193948   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128874   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-021738   出願人：株式会社東芝
• 配線の作製方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-235723   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所