特許

J-GLOBAL ID：200903071305308021

高集積半導体装置のコンタクトホール形成方法

発明者： 朴 星▲ウック▼
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032410
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349789
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールを最小化し、半導体装置の集積度を限界値以上に向上させ得るコンタクトホールの形成方法を提供する。【構成】 半導体基板10に素子分離絶縁膜12と不純物拡散領域14、該拡散領域間のチャネル領域の上部に、ゲート酸化膜16とゲート電極18及び層間絶縁膜22を形成する。層間絶縁膜の上に第1高選択エッチング膜24を形成し、さらに該エッチング膜に対して極めて大きなエッチング比をもつエッチング補助物質層の酸化膜層26を形成する。第1エッチング膜が露出するよう酸化膜層に擬似コンタクトホール30を形成し、該ホールの側壁を中央部が突出するよう円形に変形させ、側壁中央部と下段部が直線となるよう該ホールの隅部分に第2高選択エッチング膜32を埋込む。異方性エッチングにより酸化膜26を除去し、配線層でなる底面と層間絶縁膜及び選択エッチ膜でなる側壁の微細孔を形成する。

請求項（抜粋）：

上部に配線層パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、前記配線層パターンを含む前記半導体基板の全表面に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜の上部に選択エッチング膜を形成する段階と、前記選択エッチング膜の上部に、前記選択エッチング膜に対して非常に大きいエッチング比を有するエッチング補助物質層を形成する段階と、前記選択エッチング膜が露出するよう、前記エッチング補助物質層に擬似コンタクトホールを形成する段階と、前記擬似コンタクトホールの側壁の中央部が突出されるよう、半円形に変形される段階と、前記擬似コンタクトホールの側壁の中央部と下段部が直線を成すよう、前記コンタクトホールの隅部分に選択エッチング物質を埋め込む段階と、前記エッチング補助物質層が除去されるようにし、さらに前記配線層パターンで成る底面と前記層間絶縁膜及び選択エッチング膜で成る側壁を有する微細なコンタクトホールが形成されるよう、非等方性にエッチングする段階とを備えたことを特徴とする高集積半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-036827
  
• 特開昭62-055938
  
• 特開平1-274452
  
• 特開昭63-177523