特許
J-GLOBAL ID：200903071308640060
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315559
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置において、互いに逆の導電型を有する領域間を低抵抗で接続することができる製造容易な配線構造を提供する。【構成】 半導体基板10の表面には、N+ 型領域16及びP+ 型領域18を形成すると共にフィールド絶縁膜12を覆って絶縁膜20を形成する。N+ 型領域16及びP+ 型領域18にそれぞれ対応した接続孔を20等の絶縁膜に形成した後、絶縁膜20上には順次にオーミック接触用のTi等の金属層30Aと、不純物拡散防止用のTiN等の導電層32Aと、高融点金属又はそのシリサイド(W又はWSi等)からなる導電層34Aとを形成する。そして、これらの層30A,32A,34Aの積層をパターニングすることにより該積層の残存部からなる配線層36を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板と、(b)この半導体基板の表面に互いに離間して形成され、互いに逆の導電型を有する第1及び第2の不純物ドープ領域と、(c)前記半導体基板の表面を覆って形成された絶縁膜であって、前記第1及び第2の不純物ドープ領域にそれぞれ対応した第1及び第2の接続孔を有するものと、(d)前記絶縁膜の上に前記第1及び第2の接続孔を介して前記第1及び第2の不純物ドープ領域を相互接続するように形成された配線層であって、下から順にオーミック接触用の金属層と、不純物拡散防止用の導電層と、高融点金属又はそのシリサイドからなる導電層とを積層したものとをそなえた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/092
, H01L 21/3205
, H01L 29/46
H01L 27/08 321 F
, H01L 21/88 R
