特許
J-GLOBAL ID:200903071310078816
エネルギーデバイス及びその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-016101
公開番号(公開出願番号):特開2005-209533
出願日: 2004年01月23日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 シリコン薄膜からなる負極活物質を備え、サイクル特性に優れたエネルギーデバイスを提供する。【解決手段】 負極集電体1の上にシリコンの柱状粒子30を含む負極活物質薄膜が形成される。厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置の負極集電体1の表面からの距離をh、負極活物質薄膜の厚さをdとしたとき、0<h/d≦0.8を満足する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
負極集電体と、この上に形成されたシリコンの柱状粒子を含む負極活物質薄膜とを備えたエネルギーデバイスであって、
厚さ方向においてシリコン密度が最大となる位置の前記負極集電体の表面からの距離をh、前記負極活物質薄膜の厚さをdとしたとき、0<h/d≦0.8であることを特徴とするエネルギーデバイス。
IPC (5件):
H01M4/02
, H01M4/04
, H01M4/38
, H01M4/64
, H01M10/40
FI (5件):
H01M4/02 D
, H01M4/04 A
, H01M4/38 Z
, H01M4/64 A
, H01M10/40 Z
Fターム (35件):
5H017AA03
, 5H017AS10
, 5H017CC01
, 5H017DD01
, 5H017EE01
, 5H017HH03
, 5H029AJ03
, 5H029AJ05
, 5H029AK03
, 5H029AL11
, 5H029AM03
, 5H029AM04
, 5H029AM05
, 5H029AM07
, 5H029CJ24
, 5H029CJ28
, 5H029DJ07
, 5H029DJ16
, 5H029EJ04
, 5H029EJ12
, 5H029HJ04
, 5H050AA07
, 5H050AA08
, 5H050BA16
, 5H050CA07
, 5H050CA08
, 5H050CA09
, 5H050CB11
, 5H050DA04
, 5H050EA10
, 5H050EA24
, 5H050FA17
, 5H050GA24
, 5H050GA27
, 5H050HA04
引用特許:
前のページに戻る