特許

J-GLOBAL ID：200903071310848972

薄膜形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 猪巻 義洋 ,  大塚 正志 ,  奥原 剛
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131691
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321034
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 サセプタに付着した薄膜のはがれ防止効果を高めることができる常圧CVD装置などの薄膜形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 反応室の内部に設置されているサセプタ3の表面は中央部の鏡面部3aとその鏡面部3aの外周に配置されているブラスト処理部3bとからなっており、鏡面部3aとブラスト処理部3bとの界面3cはウエハ2によって被覆される領域に形成されているものである。

請求項（抜粋）：

サセプタに固定されているウエハに薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記サセプタの表面は中央部の鏡面部と前記鏡面部の外周に配置されている微細凹凸形成部とからなっており、前記鏡面部と前記微細凹凸形成部との界面は前記ウエハによって被覆される領域に形成されていることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  C30B 29/06 504

FI (6件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 H ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  C30B 29/06 504 L