特許

J-GLOBAL ID：200903071314369564

半導体集積回路装置

発明者： 渡邊 一希
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269431
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 ICカードの普及に伴い、チップの薄型加工が要求され、それと共にチップ割れによる回路の誤動作が問題になってきている。このチップの割れを回路的に検出し、回路の動作を完全に停止させることが必要になる。【解決手段】 チップの割れを検出したい箇所の外周に抵抗を配置し、この抵抗が割れた時の抵抗値の変化を検出する。この抵抗値の変化を利用し、ローパスフィルタ回路の周波数特性を変化させ、内部信号の伝搬特性を変えることで、回路の誤動作を防ぐことを可能にする。【効果】 チップ割れを検出し回路の誤動作を防ぐことが可能になると共に、システムのセキュリティ性を向上することが可能になる。

請求項（抜粋）：

抵抗と第1素子を有する第1回路と、上記第1回路内の電位変化を検出する第2回路とを具備し、上記抵抗はチップ割れを検出したい箇所の外周の一部に設置され、かつチップ割れにより抵抗値が変化し、上記第1素子は周波数に対してインピーダンスが変化する素子であり、上記第1回路と第2回路は同一シリコンウェハチップ上に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01N 27/20

FI (2件)：

H01L 27/04 T ,  G01N 27/20 A

Fターム (10件)：

2G060AA09 ,  2G060AE04 ,  2G060AF07 ,  2G060AF10 ,  2G060AF15 ,  2G060EA07 ,  2G060EB09 ,  2G060HC08 ,  5F038DT11 ,  5F038DT16