特許
J-GLOBAL ID：200903071319645594
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288463
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129546
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置に関し、必要とする素子数が少なく、従って、占有面積が小さく、しかも、消費電力が少ないSRAM、或いは、動作マージンが大きい論理回路などを実現させる。【構成】 基板11上に積層成長させた能動層12、電子供給層13、コンタクト層14、コンタクト兼バッファ層15などに作り込んだ電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタのソース上或いはドレイン上に、積層成長してからメサ状にエッチングして形成するか、或いは、直接、メサ状に選択成長で形成したi-InGaAs層16、量子井戸17、i-InGaAs層18、コンタクト層19からなるRTDとが含まれ、一個分の電界効果トランジスタが占有する面積があれば、インバータなどの論理回路やSRAMなどを作り込むことができる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に積層成長させた化合物半導体層に作り込んだ電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタのソース領域上或いはドレイン領域上に形成したメサ状の共鳴トンネリング・ダイオードとが含まれてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 371
, H01L 29/88
, H03K 19/10
