特許

J-GLOBAL ID：200903071319822682

半導体ウェハの製造方法

発明者： 山 本 博 昭 ,  石 井 明 洋 ,  長 谷 川 真 司
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298012
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135464
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 平坦化加工、特に平面研削により生じた加工歪層を平坦度を確保しつつ除去することができる半導体ウェハの製造方法であって、特にウェハの大径化に伴う枚葉加工において効率の良い製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットをスライスしてウェハを得る。スライスされたウェハの周縁部を面取りする。面取りされたウェハの少なくともおもて面を平面研削して平坦化する。平坦化されたウェハのおもて面をスピンエッチし、平面研削により生じた加工歪層を除去する。おもて面をスピンエッチされたウェハの裏面をスピンエッチする。表裏両面をスピンエッチされたウェハの表面を研磨して鏡面を得る。

請求項（抜粋）：

半導体インゴットをスライスして得られたウェハの少なくともおもて面を平面研削またはラッピングにより平坦化加工する平坦化工程と、平坦化加工されたウェハの前記おもて面をスピンエッチングによりエッチングするスピンエッチング工程と、エッチングされたウェハの前記おもて面を研磨して鏡面とする研磨工程とからなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 M