特許
J-GLOBAL ID:200903071320737192
誘導結合プラズマのプラズマ分布および性能を改善する装置
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-608406
公開番号(公開出願番号):特表2002-540617
出願日: 2000年03月23日
公開日(公表日): 2002年11月26日
要約:
【要約】プラズマ(28)により基板(18)を処理する処理システム(12)は、プロセス空間(14)を画定し、基板(18)をプロセス空間(14)中に保持する基板サポート(17)と、プロセス・ガスを前記プロセス空間(14)に導入するガス入口(20)を含むプロセス・チャンバ(13)を具える。プラズマ源は、プロセス空間(14)で、内部に導入されたプロセス・ガスからプラズマ(28)を発生させる。プラズマ源は、プロセス空間(14)に近接するプロセス・チャンバ(12)に接する誘電ウィンドウ(24a)と、チャンバ(12)の外側に位置し、誘電ウィンドウ(24a)に近接する誘導要素(10)を具える。誘導要素(10)は、誘電ウィンドウ(24a)を介してプロセス空間(14)へ電気エネルギーを結合させてプラズマ(28)を内部に生成する動作可能であり、高密度で均一なプラズマを生成させるための、各種の代替設計を有する。
請求項(抜粋):
プロセス空間を画定し、基板をプロセス空間中に保持する基板サポートを含むプロセス・チャンバと、 プロセス・ガスを前記プロセス空間に導入するガス導入口と、 プロセス空間で、内部に導入されたプロセス・ガスからプラズマを生成する動作可能なプラズマ源を具え、プラズマ源は、 概ね平坦な表面を有し、プロセス空間に近接するプロセス・チャンバに接する誘電ウィンドウと、 チャンバの外側に、誘電ウィンドウに近接して位置し、誘電ウィンドウを介してプロセス空間へ電気エネルギーを結合させて内部にプラズマを生成する誘導要素を具え、 誘導要素はコイルの長手方向に沿って連続して配設された複数のコイル・ターンを有するコイルを具え、前記コイル・ターンの少なくとも1個は第1の平面に配向し、前記コイル・ターンの少なくとも1個は第1の平面と角度をなす第2の平面に配向する、 プラズマにより基板を処理する処理システム。
IPC (7件):
H01L 21/302
, B01J 19/08
, C23C 14/34
, C23C 16/507
, H01J 37/32
, H01L 21/205
, H05H 1/46
FI (7件):
B01J 19/08 H
, C23C 14/34 T
, C23C 16/507
, H01J 37/32
, H01L 21/205
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302
Fターム (39件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075BA08
, 4G075BC01
, 4G075BC02
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075DA02
, 4G075EB41
, 4G075EC21
, 4G075EC30
, 4G075FB01
, 4G075FB02
, 4G075FB06
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 4K029BA01
, 4K029BA03
, 4K029CA03
, 4K029DC03
, 4K029DC13
, 4K029DD02
, 4K029EA06
, 4K030FA04
, 4K030KA30
, 4K030KA45
, 5F004AA01
, 5F004BB07
, 5F004BB13
, 5F004BB32
, 5F004BC08
, 5F045AA08
, 5F045BB02
, 5F045BB09
, 5F045EH02
, 5F045EH03
, 5F045EH04
, 5F045EH06
, 5F045EH11
引用特許: