特許
J-GLOBAL ID：200903071321032567
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147711
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342900
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】本発明は半導体記憶装置の記憶セルの試験時間の短縮を図りながら各記憶セルが正常か否かを確実にチェックすることを目的とする。【構成】テストモード動作時に試験装置から出力される共通の書き込みデータDinに基づいて書き込み動作及び読出し動作を行ってセル領域1内の多数の記憶セルの動作試験を行う半導体記憶装置で、書き込み動作時には隣接するデータバス対DB,バーDBの一方の対に出力する書き込みデータDinを反転させ、読出し動作時には反転されて書き込まれたデータを再反転して読み出すデータ反転回路2が備えられる。
請求項（抜粋）：
テストモード機能を有し、そのテストモード動作時に試験装置から出力される共通の書き込みデータ(Din)に基づいて書き込み動作及び読出し動作を行ってセル領域(1)内の多数の記憶セルの動作試験を行う半導体記憶装置であって、前記書き込み動作時には隣接するデータバス対(DB,バーDB)の一方の対に出力する前記書き込みデータ(Din)を反転させ、読出し動作時には前記反転されて書き込まれたデータを再反転して読み出すデータ反転回路(2)を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 29/00 303
, G11C 11/413
, H01L 27/10 481
