特許
J-GLOBAL ID：200903071321687148
半導体装置の実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047972
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 冷却装置を半導体基板の主面側に固着する赤外線撮像素子の実装構造において、半導体装置主面上の能動部分に加わる機械的応力を低減することを目的とする。【構成】 バッファ材料8の主面19であって、半導体基板1の第1の主面2に形成された能動部分21に対応する位置に、溝部22を設け、半導体基板の第1の主面2とバッファ材料の主面19を接着する際に、上記能動部21がバッファ材料8に直接接触しないように構成したことを特徴とする。【効果】 熱膨張率の差異等による機械的応力が、能動部分21に直接加わらなくなり、装置の信頼度が向上する。
請求項（抜粋）：
赤外線検出器等の能動部分が第1の主面に形成され、反対主面からは赤外線等が入射する半導体基板と、上記半導体基板の第1の主面に接着される冷却用のバッファ材料を有し、上記能動部分に対応するバッファ材料の主面に溝型構造を設け、能動部分とバッファ材料が直接接触しないようにした半導体装置の実装構造。
IPC (2件)：
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