特許

J-GLOBAL ID：200903071322608837

半導体製造装置

発明者： 稲田 哲明 ,  井ノ口 泰啓 ,  池田 文秀
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337071
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233420
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】異物の発生または膜厚の異常を、即座に発見し、異物の発生および膜厚の異常を、製造ラインにおいて常時監視でき、それにより製造条件の修正が可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】被処理基板を搭載したカセットをカセット室に挿入し、搬送ロボットによって、反応室に移送して被処理基板を処理した後、被処理基板を搬送ロボットによって、搬送室、または冷却室、もしくはカセット室に置かれている異物モニタ部、もしくは膜厚モニタ部を通過させることにより、被処理基板上の異物を異物モニタによりカウントする手段、もしくは膜厚モニタの膜厚測定部により、被処理基板上に形成した薄膜の厚さを測定する手段を少なくとも備えた半導体製造装置とする。

請求項（抜粋）：

被処理基板を搭載したカセットをカセット室に装入し、搬送ロボットにより反応室に移送して被処理基板を処理した後、該被処理基板を、上記搬送ロボットによって、搬送室、または冷却室、もしくはカセット室に置かれた異物モニタ部、もしくは膜厚モニタ部を通過させることにより、上記被処理基板上の異物を異物モニタによりカウントする手段、もしくは上記膜厚モニタの膜厚測定部により、上記被処理基板上に形成した薄膜の厚さを測定する手段を少なくとも備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/08 ,  G01N 21/88 ,  G06M 11/00 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 P ,  G01B 21/08 ,  G01N 21/88 E ,  G06M 11/00 D ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-174331   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社