特許
J-GLOBAL ID：200903071323655219
X線検出器装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188085
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 CTイメージング・システム用の半導体X線検出器において光カプラの熱膨張係数(CTE)を大幅に低下させる。【解決手段】 粉末の形態をした予め指定した量のセラミック・シンチレータ材料を、樹脂成分および硬化剤成分を有する透明なエポキシなどの光学カプリング材料の樹脂成分と混合する。この粉末シンチレータ-樹脂の混合物から気泡を除去し、これを光学カプリング材料の予め指定した量の硬化剤成分と結合させて粉末シンチレータ-光カプラの複合物を提供する。この複合物のCTEはエポキシのみのCTEに比べてかなり低下している。セラミック・シンチレータ材料の一体構造のブロック又は本体(36)を、フォトダイオード・デバイス(40)と近接・離隔の関係で配置し、これらの間のギャップにはCTEを低下させた光カプラ複合物(44,46,48)を充填する。
請求項（抜粋）：
一体構造のシンチレータ本体を構成するように形成させた第1の量の選択した多結晶質シンチレーション材料であって、前記シンチレータ本体は一定量のX線放射を受け取り、前記X線放射の量に対応した光量を前記シンチレータ本体の指定された面を通過させて投射するように配置されている、第1の量の選択した多結晶質シンチレーション材料と、前記シンチレータ面から指定された寸法のギャップだけ離隔させたフォトダイオード・デバイスであって、前記投射された光を受け取り、前記投射された光および前記X線放射を表す電気信号を発生させるように配置されているフォトダイオード・デバイスと、前記投射された光が前記ギャップを横切る際の前記投射された光の屈折を減少させるために、前記ギャップ内に配置した、選択した粘性をもつ光学カプリング材料と、粉末の形態をした第2の量の前記シンチレーション材料であって、前記光学カプリング材料に混合させて、前記光学カプリング材料のみの熱膨張より大幅に低い熱膨張を有する光カプラ組成物を提供する第2の量の前記シンチレーション材料と、を備えることを特徴とするX線検出器装置。
IPC (4件)：
G01T 1/20
, H01L 27/14
, H01L 31/09
, H04N 5/321
G01T 1/20 C
, G01T 1/20 G
, H04N 5/321
, H01L 27/14 K
, H01L 31/00 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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