特許

J-GLOBAL ID：200903071325924624

太陽電池の製法

発明者： 遠山 上 ,  中川 克己 ,  山下 敏裕
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343017
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196738
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 裏面反射層における反射率を高める。【構成】 導電性の基板101の表面に反射率の高い金属層102を形成する。基板101が十分反射率の高い材料でできている場合は金属層102は省略される。そしてこの上に、少なくともH2 および不活性ガスからなる雰囲気中で酸化亜鉛をターゲットとして用いたスパッタ法により透明層103を形成する。基板101と透明層103等で構成される裏面反射層の反射効率が高まり、太陽電池の変換効率が向上する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が光に対して高い反射率を持つ金属層からなる基体上に微細な凹凸状の透明層を形成してなる裏面反射層の上に半導体を形成し、更にその上に透明な電極を形成してなる太陽電池の製法において、前記透明層が、少なくともH2 および不活性ガスからなる雰囲気中で酸化亜鉛をターゲットとして用いたスパッタ法により形成されることを特徴とする太陽電池の製法。