特許

J-GLOBAL ID：200903071329107647

窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法

発明者： 丸井 俊治 ,  佐野 芳明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014696
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227409
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】オーミック電極におけるコンタクト抵抗を低減させることが可能な窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によれば,基板上に積層される窒化ガリウム層と,上記窒化ガリウム層上に積層される窒化アルミニウムガリウム層とを含み,上記窒化アルミニウムガリウム層の一部もしくは全体に,複数の開口溝が形成され,上記複数の開口溝のうち少なくとも2以上を充塞し,かつ当該充塞した開口溝を電気的に導通させるオーミック電極を備える窒化ガリウム系トランジスタとその製造方法が提供される。かかるオーミック電極を有する窒化ガリウム系トランジスタは,オーミック電極のコンタクト面積が大きくなるため,コンタクト抵抗を低減させることが可能となる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板上に積層される窒化ガリウム層と, 前記窒化ガリウム層上に積層される窒化アルミニウムガリウム層と, を含み, 前記窒化アルミニウムガリウム層の一部もしくは全体に,複数の開口溝が形成され, 前記複数の開口溝のうち少なくとも2以上を充塞し,かつ当該充塞した開口溝を電気的に導通させるオーミック電極を備えることを特徴とする,窒化ガリウム系トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (17件)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10