特許

J-GLOBAL ID：200903071329831655

光ディスクメモリおよびその製造方法

発明者： 小寺 宏一 ,  田中 博由 ,  内田 正雄 ,  塩川 晃 ,  野田 栄 ,  安井 秀明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-212913
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 耐久性の高い光ディスクメモリおよびその形成方法を提供する。【解決手段】 一方の面に信号凹凸部あるいは光案内用溝部を有するプラスチック基板の他方の面に強固なC-F結合を有するフッ素含有カーボン層を構成し、フッ素含有カーボン層の最表面においてフッ素原子数とカーボン原子数の比F/C値を0.6以上として撥水性表面を構成することにより、耐久性の高い光ディスクメモリを形成する。

請求項（抜粋）：

一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部あるいは光案内用トラッキング溝部を有するプラスチック基板を用いて構成する光ディスクメモリにおいて、前記プラスチック基板の凹凸部を持たない面、あるいは溝部を持たない面上にC-F結合を有するフッ素含有被覆層を形成して成る光ディスクメモリ。

IPC (2件)：

G11B 7/24 534 ,  G11B 7/26 531

FI (2件)：

G11B 7/24 534 E ,  G11B 7/26 531