特許

J-GLOBAL ID：200903071332466925

GaN系基板の製造方法

発明者： 岡川 広明 ,  宮下 啓二 ,  大内 洋一郎 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338444
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178202
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 厚膜のGaN系結晶層を形成した後においてもバッファー層の消失の程度が少なく、GaN系結晶層の形成後にバッファー層のエッチングによるGaN系結晶層とサファイア基板との分離が容易であって高歩留りにてGaN系結晶基板を製造し得る方法を提供すること。【解決手段】 サファイアなどの種基板の上にZnOなどの二族酸化物からなるバッファー層を形成し、その上に低温下でInX GaY AlZ Nからなるキャップ層を形成し、さらにその上に厚膜のInX GaY AlZ N層を形成することを特徴とするGaN系基板の製造方法。【効果】 高品質且つ大面積のGaN系基板を容易にしかも高歩留りにて製造することができる。このGaN系基板は、青色発光素子の製造に好適である。

請求項（抜粋）：

種基板の上に二族酸化物からなるバッファー層を形成し、その上に低温下でInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)からなるキャップ層を形成し、さらにその上に厚膜のInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)層を形成することを特徴とするGaN系基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18