特許
J-GLOBAL ID：200903071333177765
電力増幅回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231731
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075356
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】電力増幅用トランジスタの数を増やすことなく、その電力増幅用トランジスタの飽和出力を可変させる。【構成】電力増幅用のトランジスタ1は、複数の小セルから構成されている。第1のバイアス回路は、複数の小セルのうち、所定の小セルにバイアスを印加することができる。第2のバイアス回路は、前記所定の小セル以外のセルにバイアスを印加することができる。また、前記所定の小セル以外のセルおよび前記第2のバイアス回路の間にMOSFET12が接続されている。これにより、MOSFET12のオンまたはオフを制御し、電力増幅用のトランジスタ1の飽和出力を可変させることができる。
請求項（抜粋）：
複数の小セルから構成される電力増幅用のトランジスタと、前記電力増幅用のトランジスタの所定の小セルにバイアスを印加するための第1のバイアス回路と、前記所定の小セル以外のセルにバイアスを印加するための第2のバイアス回路と、前記所定の小セル以外のセルおよび前記第2のバイアス回路の間に接続されるスイッチング素子とを具備し、前記スイッチング素子のオンまたはオフを制御することにより、前記電力増幅用のトランジスタの飽和出力を可変させることを特徴とする電力増幅回路。
IPC (3件)：
H03F 3/19
, H03F 1/02
, H03F 3/20
