特許

J-GLOBAL ID：200903071337529780

単結晶炭化ケイ素層の製造方法

発明者： クリストフ・ショルツ
出願人/特許権者： ツェーエス・ハルプライター・ウント・ゾラールテクノロジー・ゲーエムベーハー
代理人 (1件)： 竹内 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-024900
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：

【要約】【目的】 通常ウェーハ径の単結晶SiC層を得る。【構成】 単結晶SiC層を製造するために、所望の層厚に達するまで原子層エピタクシーにより、単結晶シリコン基板層(1)の片側に炭化ケイ素(4,5)を成長させる。次に加熱を続けて、溶融、気化またはエッチングによりSi基板層(1)を取り除く。

請求項（抜粋）：

高温にて、単結晶シリコン層の片側だけに単結晶炭化ケイ素層をエピタキシャル成長させることによる、単結晶炭化ケイ素層の製造方法であって、単結晶炭化ケイ素層の成長後、予め冷却することなくシリコン層が取り除かれることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/22 ,  C30B 33/00