特許
J-GLOBAL ID：200903071341610834

半導体装置、及びその製造方法

発明者：
猪股 大介

猪股 大介 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-218880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041182
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 材料接続界面の剥離を防止することができる、金属酸化物誘電体を用いたキャパシタ構造を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成されたキャパシタ構造を備える半導体装置であって、半導体基板と、キャパシタと、金属配線とを備えている。キャパシタは、半導体基板上に形成される第1の方向の残留応力を有する下部電極と、下部電極上に接して形成される第1の方向の残留応力を有する容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に接して形成される第1の方向の残留応力を有する上部電極とで構成される。金属配線は、キャパシタと上部電極上面の一部に接して形成され、第1の方向の残留応力を有する層を少なくとも一層有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたキャパシタ構造を備える半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第1の方向の残留応力を有する下部電極と、前記下部電極上に接して形成される前記第1の方向の残留応力を有する容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に接して形成される前記第1の方向の残留応力を有する上部電極と、で構成されるキャパシタと、 前記上部電極上面の一部に接して形成され、前記第1の方向の残留応力を有する層を少なくとも一層有する金属配線と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108
FI (3件)：
H01L27/10 444C ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 621Z
Fターム (12件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD21 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083NA08 ,  5F083PR23
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3157012号公報(第2-3頁、第1図)
審査官引用 (9件)
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