特許
J-GLOBAL ID：200903071346254467

半導体レーザ装置

発明者：
楠 浩典

楠 浩典 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035498
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252498
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 ドライブ極性が異なる半導体レーザ装置の生産における生産合理性を高める。【構成】 支持体2に固定されたサブマウント3の主面上に半導体レーザ素子5が固定され、前記半導体レーザ素子5の一辺側に、この半導体レーザ素子5のアノード電極40と電気的に接続され、かつ前記サブマウント3の主面に形成される第1外部電極21が配置され、前記半導体レーザ素子5の一辺と対向する他辺側にリード9Aが配置され、前記第1外部電極21と支持体2とが第1ワイヤ11で電気的に接続されると共に、前記半導体レーザ素子5のカソード電極41とリード9Aとが第2ワイヤで電気的に接続され、前記支持体2に基準電位、前記リード9Aに負電位の夫々が印加される負ドライブ極性型の半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子5とリード9Aとの間のサブマウント3の主面にアノード電極と電気的に接続される第2外部電極22を配置する。
請求項（抜粋）：
導電性の支持体に固定された絶縁性のサブマウントの主面上に、半導体基板の主面側にアノード電極及びその主面と対向する裏面側にカソード電極を配置した半導体レーザ素子が前記アノード電極を下側にして固定され、前記半導体レーザ素子の端面から放射されるレーザ光の光軸と同一方向に延在する前記半導体レーザ素子の一辺側に、前記アノード電極と電気的に接続され、かつ前記サブマウントの主面に形成される第1外部電極が配置され、前記半導体レーザ素子の一辺と対向する他辺側に前記レーザ光の光軸と同一方向に延在するリードが配置され、前記カソード電極とリードとが第1ワイヤで電気的に接続されると共に、前記第1外部電極と支持体とが第2ワイヤで電気的に接続され、前記支持体に基準電位、前記リードに前記基準電位に対して負電位の夫々が印加される半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子とリードとの間の前記サブマウントの主面に前記アノード電極と電気的に接続される第2外部電極が配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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