特許

J-GLOBAL ID：200903071350398287

半導体分析方法

発明者： 両澤 克彦 ,  岩辺 三月
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275023
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096608
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 FTIR透過法の測定結果に基づいて、簡単なデータ入力操作により半導体に含まれる水素等の不純物の濃度を大きな誤差を生じることなく算出する。【解決手段】 CPU1は、FTIR透過法の測定結果の中の3点の変数のデータをデータ入力操作により入力部3から受けた場合には、この変数のデータをRAM4に格納してベースライン補正及びディメンジョン変更のデータ処理を行い、データ処理した3点の変数データを含む一般関数を積分し、この積分結果を用いて水素を含むアモルファスシリコンの水素の濃度を大きな誤差を生じることなく算出する。

請求項（抜粋）：

半導体に含まれている不純物の濃度を波数ベクトルに対する光透過率の測定結果の特性曲線を基に算出する半導体分析方法において、前記光透過率の特性曲線の所定の複数の波数ベクトルを所定の角周波数ベクトルに変換する第1算出工程と、前記所定の角周波数ベクトルと、前記所定の角周波数ベクトルに応じた(光吸収係数)/(角周波数)の特性曲線上の点群とで囲まれた多角形領域を算出する第2算出工程と、前記多角形領域に基づいて前記不純物の濃度を算出する第3算出工程と、を含むことを特徴とする半導体分析方法。

IPC (3件)：

G01N 21/35 ,  G01N 21/00 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/35 Z ,  G01N 21/00 B ,  H01L 21/66 N