特許
J-GLOBAL ID：200903071352282863
半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236640
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082638
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 歪みシリコン層を得るための下地であるSiGe層の作成の時間を短縮することを可能とする半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン結晶基板と、このシリコン結晶基板上に形成された、シリコン結晶基板より0.2%〜5.0%大きい格子定数を有する結晶層と、この結晶層上に形成された歪みシリコン層とを具備し、前記結晶層は、前記シリコン結晶基板と結晶層の組合わせにより決定される臨界膜厚を越える膜厚を有し、前記シリコン結晶基板の表面には、前記シリコン結晶の格子定数を小さくする効果を有する不純物が存在することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶基板と、このシリコン結晶基板上に形成された、シリコン結晶基板より0.2%〜5.0%大きい格子定数を有する結晶層と、この結晶層上に形成された歪みシリコン層とを具備し、前記結晶層は、前記シリコン結晶基板と結晶層の組合わせにより決定される臨界膜厚を越える膜厚を有し、前記シリコン結晶基板の表面には、前記シリコン結晶の格子定数を小さくする効果を有する不純物が存在することを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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