特許
J-GLOBAL ID：200903071353052411
カーボンナノチューブの製造方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
佐々木 宗治
, 小林 久夫
, 石川 壽彦
, 木村 三朗
, 大村 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314127
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149335
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】製造装置の単純化ができると共に生成されるカーボンナノチューブの合成比率を高めることができるカーボンナノチューブの製造方法及び装置を得ること。【解決手段】炭素材料を陰極1として陽極電極3との間にて直流アーク放電を行うことにより、カーボンナノチューブを合成するカーボンナノチューブの製造方法であって、炭素材料は、材質が主として炭素質であることを特徴とする。また、炭素材料は、その電気抵抗値が4000μΩ・cm以上もしくは熱伝導率が40W/mK以下であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭素材料を陰極として陽極電極との間にて直流アーク放電を行うことにより、カーボンナノチューブを合成するカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記炭素材料は、材質が主として炭素質であることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G146AA11
, 4G146BA01
, 4G146BC17
, 4G146DA03
, 4G146DA17
, 4G146DA27
, 4G146DA33
, 4G146DA43
, 4G146DA47
