特許

J-GLOBAL ID：200903071357656788

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 中川 行人
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192722
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029889
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 同軸導波管の内部に同軸型の2重管からなる放電管を配置することによって、高密度プラズマを発生させてアッシングの処理速度を高速化するとともに放電開始を容易にする。【構成】 ガス導入管70によって酸素を含むガスを放電管64に導入する。マイクロ波電源50から矩形導波管52を経て同軸導波管54にマイクロ波を供給し、マイクロ波を同軸モ-ドに変換する。これにより、同軸導波管54の外部導体56と内部導体58とに囲まれた部分にマイクロ波を供給し、外部管66と内部管68からなる放電管64の内部に、プラズマ74を発生させる。プラズマ74の中に存在する活性化された分子または原子は、真空容器42内に拡散し、ウェーハ46の表面のフォトレジストと反応して、これを除去する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波放電によるプラズマによって生成された活性種を用いて被処理基板を処理するマイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ発生機構が、内部管と外部管の間に放電空間が形成された誘電体製の二重管と、前記内部管の内側に挿入された内部導体と、前記外部管の外側に配置された筒状の外部導体とを含み、前記内部導体と外部導体とからなる導波管にマイクロ波電力を供給して前記放電空間内に放電によるプラズマを発生させることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H