特許
J-GLOBAL ID：200903071357719836
半導体装置のウエハ保持方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田北 嵩晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041390
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223738
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 ウエハサイズの口径拡大における重量増加、回転における遠心力増加に対するウエハチャックの拡大に対して、ウエハチャックの接触面積を少なくしてウエハの異物付着の影響を低減すること。【解決手段】 斜線部で示す領域がウエハチャック2とウエハ基板1との接触する領域であり、ウエハチャック2の外周半径=r1と内周半径=r2は、処理すべきウエハ基板を回転処理する際に必要となる最低必要真空度を確保可能な面積より求める。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法の一環として行われるフォトリソグラフィー工程にて回転自在のウエハチャック上にウエハ基板を載置、保持した後にレジストコートを行うか、SOGを滴下してSOGコートを行うか、もしくは現像液を滴下して現像処理を行うか、何れかの方法を該ウエハチャック上に保持されたウエハ基板に処理を施すフォトリソグラフィー工程に於いて、処理すべきウエハ基板の最大外周径寸法より小さい内周径寸法にて、ウエハ中心領域に接触部を有せず、ウエハ外周部寄りにのみ接触部を有するリング形状からなるウエハチャック上に載置する工程と、該ウエハ外周部寄りのリング状形状のウエハチャックに真空吸着部より吸着する工程とからなることを特徴とする半導体装置のウエハ保持方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 N
, H01L 21/30 503 C
