特許

J-GLOBAL ID：200903071360020100

低い有効アンテナ電圧を持つプラズマ浸漬イオン源

発明者： パーシング、ハロルド、エム. ,  シング、ヴィクラム ,  ワインダー、エドマンド、ジャック
出願人/特許権者： バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 龍華 明裕 ,  飯山 和俊 ,  明石 英也 ,  東山 忠義 ,  林 茂則 ,  高田 学
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-551357
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524915
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

プラズマ源(100)は処理ガスを容れるチャンバ(102)を含む。チャンバは、電磁放射を通過させる誘電体窓(120、122)を含む。RF電源(130)はRF信号を生成する。低減された有効アンテナ電圧を持つ少なくとも一つのRFアンテナ(126、128)がRF電源(130)に接続される。少なくとも一つのRFアンテナ(126、128)は誘電体窓(120、122)に近接して配され、これによりRF信号がチャンバ内に電磁結合して処理ガスを励起およびイオン化してチャンバ内にプラズマを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

a)電磁放射を通過させる誘電体窓を含み、処理ガスを容れるチャンバと、 b)出力にRF信号を生成するRF電源と、 c)前記RF電源の前記出力に電気接続される入力と有効RFアンテナ電圧を低減するインピーダンスで終端される出力とを有する少なくとも一つのRFアンテナと、を含み、 前記少なくとも一つのRFアンテナが前記誘電体窓に近接して配されることで前記RF信号が前記チャンバ内に電磁結合されて前記処理ガスが励起およびイオン化され、前記チャンバ内にプラズマが形成される、プラズマ源。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/265 F ,  H05H1/46 L