特許

J-GLOBAL ID：200903071360671240

高周波積層デバイス、その製造方法および通信機器

発明者： 前川 智哉 ,  勝村 英則
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-282583
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051584
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

【課題】挿入損失が低減され、減衰量が向上した高周波積層デバイスを提供することを主要な目的とする。【解決手段】高周波積層デバイスは、誘電体セラミック層21a〜21cが積層されてなるセラミック積層体20と、セラミック積層体20中に埋め込まれた導体層22とを備える。導体層22の端部側面が面する部分には空隙部23が設けられるとともに、導体層22の中央部の厚みをt2とし、導体層22の端部側面から導体層22の全幅の5%内側に入った部分の厚みをt1としたときに以下の不等式を満たす。 t1/t2≧0.8【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体セラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、 前記セラミック積層体中に埋め込まれた導体層とを備え、 前記導体層の端部側面が面する部分には空隙部が設けられるとともに、前記導体層の中央部の厚みをt2とし、前記導体層の前記端部側面から前記導体層の全幅の5%内側に入った部分の厚みをt1としたときに以下の不等式を満たす高周波積層デバイス。 t1/t2≧0.8

IPC (6件)：

H01P7/08 ,  H01P1/203 ,  H01P1/205 ,  H01P11/00 ,  H03H7/075 ,  H05K3/46

FI (9件)：

H01P7/08 ,  H01P1/203 ,  H01P1/205 B ,  H01P11/00 G ,  H03H7/075 A ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 T ,  H05K3/46 Z

Fターム (40件)：

5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346BB02 ,  5E346BB06 ,  5E346BB15 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC21 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346CC60 ,  5E346DD32 ,  5E346EE24 ,  5E346EE25 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG04 ,  5E346GG08 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5J006HB05 ,  5J006HB17 ,  5J006HC07 ,  5J006JA01 ,  5J006LA02 ,  5J006LA28 ,  5J006NA04 ,  5J006NB07 ,  5J006NC03 ,  5J006PA10 ,  5J024AA01 ,  5J024BA02 ,  5J024CA09 ,  5J024DA04 ,  5J024DA29 ,  5J024EA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高周波誘電体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329421   出願人：日本フィリップス株式会社
• 誘電体フィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器と通信機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-057751   出願人：松下電器産業株式会社