MOS型トランジスタ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293898
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131013
出願日： 1993年10月30日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】ゲートとソース/ドレインとを備えるとともに、ゲートとソースまたはドレインの少なくともいずれかとの間には電流パス領域が存在するMOS型トランジスタについて、電界・電流の集中を防止し、ブレークダウンなどの不都合を防止する。【構成】ゲート1とソース2/ドレイン3とを備えるとともに、ゲートとソースまたはドレインの少なくともいずれかとの間には電流パス領域4が存在するMOS型トランジスタにおいて、?@ゲートに隣接するソースの幅をドレインの幅とほぼ等しい構成とする。?Aドレインの少なくともゲートに対向する部分の端部を曲面または傾斜部に構成する。?Bドレインの端部に対向するゲート端部の長さを延設する。

請求項（抜粋）：

ゲートとソース/ドレインとを備えるとともに、ゲートとソースまたはドレインの少なくともいずれかとの間には電流パス領域が存在するMOS型トランジスタにおいて、ゲートに隣接するソースの幅をドレインの幅とほぼ等しい構成としたことを特徴とするMOS型トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭49-103577
特開昭59-228764
特開平3-018063

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