特許
J-GLOBAL ID：200903071365943923
光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166790
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335614
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 光電変換特性に優れる上に高輝度の光源でも光劣化が少ないなど耐候性にも優れ、しかも製造が容易である光電変換素子を提供する。【構成】 透明基材上の透明電極上に、p型半導体層、フラーレン層及びバック電極を順次積層して構成した光電変換素子。
請求項（抜粋）：
透明基材上の透明電極上に、p型半導体層、フラーレン層及びバック電極を順次積層して構成したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 Z
, H01L 31/04 Z
