特許

J-GLOBAL ID：200903071365994218

レジストパターン形成方法

発明者： 山田 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008360
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209005
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 レジスト+無機マスクでアルミニウムエッチングする場合の定在波効果を低減し、面内で均一なレジストパターンを形成することを可能にしたレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 アルミニウム基板1上にチタンおよび窒化チタンあるいは窒化酸化チタンの積層からなる下置き反射防止膜2をコーティングし、その上にシリコン酸化膜の無機マスク3を介してレジスト4を塗布し、さらにこのレジスト4の上に上塗り反射防止膜5をコーティングした後に、レジストパターンを形成する方法であて、レジスト4+無機マスク3でアルミニウムエッチングを行う場合、下置き反射防止膜2と上塗り反射防止膜5との両方を用いることにより、定在波効果を低減させ、面内で均一なレジストパターンを得るようにしたレジストパターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

アルミニウム基板に無機マスクを形成し、レジストを塗布しホトリソグラフィでエッチングするレジストパターン形成方法であって、前記アルミニウム基板と無機マスクとの間に下置き反射防止膜を形成し、前記レジスト上に上塗り反射防止膜をコーティングした、ことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/11 503

FI (3件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/11 503