特許

J-GLOBAL ID：200903071367654112

アバランシェホトダイオードのバイアス回路

発明者： 鈴木 高志 ,  佐原 正哲
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050784
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 APDのダイナミックレンジを更に広げることが可能な線形性を有するAPDのバイアス回路を提供する。【解決手段】 このAPDのバイアス回路においては、APDに流れる電流が小さい場合には帰還制御回路FBCによってフィードバック機能を達成することによりカソード電位Vkを一定に保持し、大きい場合にはフィードバック機能を停止させることにより、APDの出力抵抗を大きくし、APDの永久破壊を抑制する。

請求項（抜粋）：

抵抗素子とアバランシェホトダイオードとの間に電流経路が設定されるアバランシェホトダイオードのバイアス回路において、その制御端子の電位に応じて前記電流経路を流れる電流を制御する第1トランジスタと、前記アバランシェホトダイオードに対して並列であって前記第1トランジスタの一端に接続された分圧抵抗と、前記分圧抵抗の分圧出力に応じて前記制御端子の電位を制御する帰還制御回路とを備えることを特徴とするアバランシェホトダイオードのバイアス回路。

IPC (9件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/107 ,  H03F 3/08 ,  H04B 10/28 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06 ,  H03G 11/04

FI (5件)：

H03F 3/08 ,  H03G 11/04 ,  H01L 31/10 G ,  H01L 31/10 B ,  H04B 9/00 Y

Fターム (30件)：

5F049MA07 ,  5F049NA03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB08 ,  5F049RA02 ,  5F049UA11 ,  5F049UA18 ,  5F049WA03 ,  5J030CB03 ,  5J030CC01 ,  5J030CC05 ,  5J092AA03 ,  5J092AA56 ,  5J092CA32 ,  5J092CA81 ,  5J092FA17 ,  5J092HA02 ,  5J092HA25 ,  5J092HA43 ,  5J092HA44 ,  5J092KA12 ,  5J092KA17 ,  5J092MA13 ,  5J092SA13 ,  5J092TA01 ,  5J092TA02 ,  5J092UL03 ,  5K002BA15 ,  5K002CA03 ,  5K002CA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-078886
  
• 特開昭62-078886
  
• 特開昭58-165020
  
• 特開昭58-165020