特許
J-GLOBAL ID：200903071372504854
結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235501
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 加熱したサセプタ上の半導体ウエハに反応ガスを流してエピタキシャル結晶成長させる結晶成長装置において、反応ガスの消費量を少なくするとともに、チャンバー内壁へのガスパーティクルの付着を防止し、またウエハセットの自動化が可能で、膜厚、組成の均一な結晶成長が得られるようにする。【構成】 半導体ウエハ2をセットするサセプタ1を円盤状に形成し、このサセプタ1の中央部上方から該サセプタ1に向けて多層管構造のガス供給ヘッド3より反応ガスと押えガスとを分離供給できるようにする。また、中央部から周辺部へ漸次低くなるように傾斜したガイドプレート5をサセプタ1の上方に設ける。そして、ガス供給ヘッド3から放出された反応ガスの拡散を上記押えガス及びガイドプレート5により抑えながら、均一な反応ガスをサセプタ1の表面に供給し、ウエハ2上にエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
加熱したサセプタ上の半導体ウエハに反応ガスを流して結晶成長させる結晶成長装置において、前記サセプタを円盤状に形成し、このサセプタの中央部上方から該サセプタに向けて前記反応ガスを放出するガス供給ヘッドを設けるとともに、同サセプタの上方に、前記放出された反応ガスを前記半導体ウエハ方向に導き、サセプタとの距離が中央部から周辺部にかけて漸次短くなるように形成したガイドプレートを備えたことを特徴とする結晶成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/52
