特許

J-GLOBAL ID：200903071375636298

SiC半導体素子

発明者： 八幡 彰博
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077213
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267589
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 低いオン電圧のSiC半導体素子を実現すること。【解決手段】 SiC基板に溝を掘り、この溝に電極を埋め込むこと。

請求項（抜粋）：

少なくとも、第1導電型SiC基板と、この第1導電型SiC基板上に形成された第1導電型SiCエピタキシャル層を持つSiC半導体素子において、第1導電型SiCエピタキシャル層の反対側の第1導電型SiC基板に溝が掘られ、この溝に電極が埋め込まれていることを特徴とするSiC半導体素子。

IPC (9件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (9件)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/44 C ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/80 U ,  H01L 29/91 C

Fターム (25件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104FF06 ,  4M104FF27 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BB01 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F102FA02 ,  5F102GA14 ,  5F102GB00 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02