特許

J-GLOBAL ID：200903071380795531

プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置を用いて製造した半導体装置、並びに半導体装置で構成したアクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示素子

発明者： 渡辺 邦彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268399
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091244
出願日： 1998年09月22日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】加工性、機械的強度、プラズマ耐性、メンテナンス性に優れたシャワー板を採用することで生産性に優れたプラズマ処理装置、および特性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】真空室内に反応性ガスと電力とを供給し、反応性ガスの化学反応によって基板を処理するプラズマ処理装置であって、電力と反応性ガスの一方または双方を真空室内に供給する手段に接続した少なくとも1つの電極を有すると共に、電極の基板と対向する側に反応性ガスの供給手段から基板に反応性ガスを供給する複数の貫通孔2を有するシャワー板1とを有し、シャワー板1を少なくとも2種類以上の材質3と4で構成した。

請求項（抜粋）：

真空室内に反応性ガスと電力とを供給し、前記反応性ガスの化学反応によって基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記電力と前記反応性ガスの一方または双方を前記真空室内に供給する手段に接続した少なくとも1つの電極を有すると共に、前記電極の前記基板と対向する側に前記反応性ガスの供給手段から前記基板に前記反応性ガスを供給する複数の貫通孔を有するシャワー板とを有し、前記シャワー板が少なくとも2種類以上の材質で構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (38件)：

2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092KA15 ,  2H092MA08 ,  2H092MA35 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045CA15 ,  5F045DQ15 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EN04