特許
J-GLOBAL ID：200903071381790657
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126616
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312280
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 デュアルゲート構造のn型,p型多結晶シリコンを同一エッチング工程で加工すると、エッチングレートの差によりp型多結晶シリコンのエッチング残りを生じるかn型多結晶シリコン側の下地が過剰にエッチングされた。【解決手段】 基板上に形成した膜質の異なる被エッチング膜をプラズマ中で同時にエッチングするドライエッチング方法において、被エッチング膜の一方の膜質を有する部分(例えばn型多結晶シリコン膜)のエッチングレートと被エッチング膜の他方の膜質を有する部分(例えばp型多結晶シリコン膜)のエッチングレートとの差を小さくする方向に被エッチング膜に入射する負イオン量を、多結晶電子温度を変化させることによって制御する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した膜質の異なる被エッチング膜をプラズマ中で同時にエッチングするドライエッチング方法において、前記被エッチング膜の一方の膜質を有する部分のエッチングレートと前記被エッチング膜の他方の膜質を有する部分のエッチングレートとの差を小さくする方向に該被エッチング膜に入射する負イオン量を制御することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 C
