特許

J-GLOBAL ID：200903071385744951

不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法

発明者： ヴァジル・ナイルズ・キネット ,  ミッキー・リー・ファンドリッチ
出願人/特許権者： インテル・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-056627
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182475
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 不揮発性半導体メモリを消去およびプログラムするのに要するマイクロプロセッサのコードの量を最少にした、不揮発性半導体メモリのプログラムおよび消去する回路および方法を提供することである。【構成】 不揮発性半導体メモリの多段プログラム・シーケンスを実行する回路は、不揮発性半導体メモリと同じ基板上に設けられている。この回路は、多段プログラム・シーケンスを開始する命令を記憶する装置と、不揮発性半導体メモリのビットをデータ・パターン・ビットにしたがってプログラムするよう不揮発性半導体メモリをエネーブルする第1エネーブリング回路を有している。また、不揮発性半導体メモリの多段消去シーケンスを実行する回路は、多段消去シーケンスを開始する命令を記憶する装置と、不揮発性半導体メモリのビットをプレコンディションして第1論理レベルにするよう、不揮発性半導体メモリをエネーブルする第1エネーブリング回路と、そのビットを消去して第2論理レベルにするよう、不揮発性半導体メモリをエネーブルする第2エネーブリング回路を含んでいる。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリと同じ基板上に設けられ、不揮発性半導体メモリの多段プログラム・シーケンスを実行する回路において、(a) 多段プログラム・シーケンスを開始する命令を記憶する装置と、(b) データ・パターンにしたがって、不揮発性半導体メモリのビットをプログラムするよう、不揮発性半導体メモリをエネーブルする第1エネーブリング装置と、から成り、多段プログラム・シーケンスは、一旦開始されると、完了するため不揮発性半導体メモリの外部装置からの制御を必要としないことを特徴とする、不揮発性半導体メモリの多段プログラム・シーケンスを実行する回路。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-010598
  
• 特開昭63-289727
  
• 特開平2-142000
  
• 特開平2-289997
  
• 特開平2-119000