特許
J-GLOBAL ID：200903071386315582
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335979
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 層界面および層界面の上に成長する結晶が高品質となり、高出力発振下においても信頼性の高い半導体レーザを得る。【構成】 活性層5を2元以上のV族元素を含む組成とし、この活性層5を挟む光導波層4、6およびクラッド層3、7をV族元素およびIII 族元素を含む組成とし、上記光導波層4、6およびクラッド層3、7のV族元素の組成比を活性層5のV族元素の組成比と同じとする一方、該光導波層4、6およびクラッド層3、7のIII 族元素の組成比を変えることにより分離閉じ込めヘテロ構造を形成する。
請求項（抜粋）：
活性層が2元以上のV族元素を含む組成を有し、この活性層を挟む光導波層およびクラッド層がV族元素およびIII 族元素を含む組成を有し、前記光導波層およびクラッド層のV族元素の組成比が活性層のV族元素の組成比と同じとされる一方、該光導波層およびクラッド層のIII 族元素の組成比を変えることにより分離閉じ込めヘテロ構造が形成されたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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