特許

J-GLOBAL ID：200903071388943122

半導体素子及びその製造方法

発明者： ゾ 一 絃
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289849
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 低電力、高性能を要する次世代製品に適した半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21上に形成されたゲート酸化膜23と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜25と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜27とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜とを備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G

Fターム (46件)：

4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD34 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD90 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG49 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK23