特許

J-GLOBAL ID：200903071393340088

イオン注入方法

発明者： 村山 栄一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199665
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025932
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ面内の注入均一性を向上させて特性のバラツキを低減することができるイオン注入方法を提供すること。【解決手段】 高速回転するディスク周縁部に複数枚配置されるウェーハ10に対してイオンを注入するに当たり、ウェーハ10のビーム照射開始端側(B側)から照射終了端側(T側)に向かうにつれて増加するティルト角(α1,α2)に対応して、イオン注入領域12へのイオンビームBの照射範囲を制限するマスク13を形成した上で、上記イオンの注入処理を行う。当該マスク13は、ウェーハ面内における露光時間の変化によりその線幅にバラツキがもたされ、そのバラツキ量(Δt1,Δt2)は、ティルト角(α1,α2)の大きさに応じて定める。

請求項（抜粋）：

ディスクの周縁部に傾斜配置される複数枚の半導体基板に対して、前記ディスクを高速回転させながらイオンビームを照射し、前記半導体基板上に形成される所定のイオン注入領域にイオンを注入するイオン注入方法において、前記半導体基板上の前記イオンビームの照射開始端側から照射終了端側にかけてのティルト角の増加に対応して、前記イオン注入領域への前記イオンビームの照射範囲を制限するマスクを前記半導体基板上に形成し、前記マスクの上から前記イオン注入領域にイオンを注入することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (4件)：

H01L 21/266 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 603

FI (4件)：

C23C 14/48 Z ,  H01J 37/317 A ,  H01L 21/265 603 D ,  H01L 21/265 M

Fターム (11件)：

4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029BB03 ,  4K029CA10 ,  4K029HA03 ,  4K029JA01 ,  4K029JA02 ,  5C034CC07 ,  5C034CC08 ,  5C034CC19 ,  5C034CD04