特許

J-GLOBAL ID：200903071399202523

半導体レーザ

発明者： 中村 隆宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012961
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高温で低閾値、高効率および高出力動作が可能な半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 活性層とp型InP層(第1層)、n型InP層(第2層)、p型InP層(第3層)およびn型InP層(第4層)を積層した電流ブロック構造とを有する半導体レーザにおいて、第1層と第2層の間または第2層と第3層の間の少なくとも一方に、ノンドープInP層、n型InP変成層およびp型InP変成層から選ばれる少なくとも1層を設けた半導体レーザ。(但し、n型(p型)InP変成層は、n型(p型)InP層側からp型(n型)InP層側にかけて層内のn型(p型)不純物濃度が連続的に1×1017cm-3以下まで減少している層である。また、n型InP変成層はn型InP層に隣接して設け、p型InP変成層はp型InP層に隣接して設けるものとする。)

請求項（抜粋）：

活性層とp型InP層(第1層)、n型InP層(第2層)、p型InP層(第3層)およびn型InP層(第4層)を積層した電流ブロック構造とを有する半導体レーザにおいて、p型InP層(第1層)とn型InP層(第2層)の間またはp型InP層(第2層)とn型InP層(第3層)の間の少なくとも一方に、ノンドープInP層、n型InP変成層およびp型InP変成層から選ばれる少なくとも1層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。(但し、n型InP変成層は、n型InP層側からp型InP層側にかけて層中のn型不純物濃度が連続的に1×1017cm-3以下まで減少している層であり、p型InP変成層は、p型InP層側からn型InP層側にかけて層内のP型純物濃度が連続的に1×1017cm-3以下まで減少している層である。また、n型InP変成層はn型InP層に隣接して設け、p型InP変成層はp型InP層に隣接して設けるものとする。)