特許

J-GLOBAL ID：200903071400253005

電荷移動錯体高分子交互累積超薄膜及びその製造方法

発明者： 山本 雅英 ,  伊藤 紳三郎 ,  三ツ石 方也 ,  島▲ざき▼ 譲
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 牧野 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052873
公開番号（公開出願番号）：特開平10-244616
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電荷移動錯体層が規則的に配列している交互累積超薄膜とその製造方法を提供することにある。【解決手段】電荷移動錯体高分子交互累積超薄膜は、一般式(I)(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる繰返し単位を有する電子供与性高分子重合体からなる薄膜と、一般式(II)(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる繰返し単位を有する電子受容性高分子重合体からなる薄膜とが交互に吸着され、累積されてなる。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる繰返し単位を有する電子供与性高分子重合体からなる薄膜と、一般式(II)【化2】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。)で表わされる繰返し単位を有する電子受容性高分子重合体からなる薄膜とが交互に吸着され、累積されてなることを特徴とする電荷移動錯体高分子交互累積超薄膜。

IPC (5件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  C08F 20/34 ,  C08F 20/36 ,  C08L 33/14

FI (5件)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  C08F 20/34 ,  C08F 20/36 ,  C08L 33/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-141902
  
• 特開平3-027932