特許

J-GLOBAL ID：200903071404769502

(Zr,Sn)TiO4薄膜形成用組成物及び(Zr,Sn)TiO4薄膜の形成方法

発明者： 遠藤 恵子 ,  小木 勝実 ,  米澤 政
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-303046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139435
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】【課題】 組成制御が容易なゾルゲル法により、高周波特性に優れる(Zr,Sn)TiO<SB>4 </SB>薄膜を形成する。保存安定性、塗布性、塗膜形成性が良好な(Zr,Sn)TiO<SB>4 </SB>薄膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド又はジルコニウムエトキシドのZr原料と、C<SB>n </SB>H<SB>2n+1</SB>COOH(3≦n≦7)のスズ塩のSn原料と、チタニウムブトキシド、チタニウムプロポキシド又はチタニウムエトキシドのTi原料を、カルボン酸、エステル及びアルコキシアルコールの混合溶剤に混合してなるZr<SB>1-x </SB>Sn<SB>x </SB>TiO<SB>4 </SB>(0≦x<0.5)薄膜形成用組成物。カルボン酸は、C<SB>n </SB>H<SB>2n+1</SB>COOH(3≦n≦7)で、合計金属酸化物換算量の3〜8倍モル量。アルコキシアルコールは、合計金属酸化物換算量の5倍モル以上。この(Zr,Sn)TiO<SB>4 </SB>薄膜形成用組成物を基板に塗布して乾燥し、この工程を複数回繰り返した後、600〜800°Cで焼成する。

請求項（抜粋）：

ジルコニウム化合物、スズ化合物及びチタン化合物をモル比でZr:Sn:Ti=(1-x):x:y(ただし、0≦x<0.5)となるように、カルボン酸、エステル及びアルコキシアルコールを含む混合溶剤に混合してなる(Zr,Sn)TiO<SB>4 </SB>薄膜形成用組成物であって、ジルコニウム化合物が、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド及びジルコニウムエトキシドよりなる群から選ばれる1種又は2種以上であり、スズ化合物が一般式C<SB>n </SB>H<SB>2n+1</SB>COOH(ただし、3≦n≦7)で表されるカルボン酸のスズ塩より選ばれる1種又は2種以上であり、チタン化合物がチタニウムブトキシド、チタニウムプロポキシド及びチタニウムエトキシドよりなる群から選ばれる1種又は2種以上であり、混合溶剤に用いるカルボン酸が一般式C<SB>n </SB>H<SB>2n+1</SB>COOH(ただし、3≦n≦7)で表されるカルボン酸の1種又は2種以上で、組成物中の該カルボン酸の含有量が、組成物中のジルコニウム化合物、スズ化合物及びチタン化合物の金属酸化物換算の合計含有量に対して3〜8倍モルであり、組成物中のアルコキシアルコールの含有量が、組成物中のジルコニウム化合物、スズ化合物及びチタン化合物の金属酸化物換算の合計含有量に対して5倍モル以上であることを特徴とする(Zr,Sn)TiO<SB>4 </SB>薄膜形成用組成物。