特許

J-GLOBAL ID：200903071408227739

不揮発性半導体記憶装置,その製造方法および試験方法

発明者： 野口 健二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283708
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 過剰消去状態のメモリセルの存在により不良品として判別されたフラッシュメモリを一度だけプログラム可能な記憶装置(OTPROM)として使用することにより、不良品率を低減することを目的とする。【構成】 ウエハレベルの試験中に過剰消去により不良品と判別されたベアチップ状態の記憶装置を、その過剰消去メモリセルの存在を示す情報を不揮発的かつ読出可能な態様で識別メモリ回路(1)に記憶し、その後紫外線などのエネルギー線照射によりメモリセルアレイのメモリセルを電気的に中性状態の消去状態に復帰させる。この紫外線などのエネルギー線により消去されたチップはOTPROMとしてアセンブリされ試験される。このとき、メモリセルへのデータの書込および消去を制御するための書込/消去制御回路はメモリ回路(1)に格納された情報に従って動作禁止状態とされる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート型トランジスタからなるメモリセルが複数個配列されたアレイを含む不揮発性半導体記憶装置であって、前記アレイ内に存在する電気的に過剰消去されたメモリセルがエネルギー線照射により消去状態とされたか否かを示す情報を記憶するメモリ種類記憶手段、前記アレイの選択されたメモリセルのデータの消去および書込動作を制御するためのプログラム制御手段、および前記メモリ種類記憶手段の記憶情報に応答して、前記プログラム制御手段の動作を禁止状態または動作可能状態のいずれかに設定するメモリ種類設定手段を備える、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G01R 31/318 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 27/115

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  G01R 31/28 B ,  G11C 17/00 309 Z ,  H01L 27/10 434