高耐圧半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064342
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】オフ動作時における耐圧を低下させることなくオン動作時における素子抵抗を低減する。【解決手段】 p型半導体基板1の主表面上にはn- 層2が形成される。このn- 層2の表面にはp- 拡散領域5が形成される。このp- 拡散領域5の一方の端部に連なるようにp拡散領域6が形成される。p- 拡散領域5内には、このp-拡散領域5よりも高濃度のp型の不純物を含むp拡散領域20が複数個形成される。p- 拡散領域5と間隔をあけてp拡散領域3が形成される。このp拡散領域3とp- 拡散領域5の間に位置するn- 層2の表面上に酸化膜10を介在してゲート電極9が形成される。p拡散領域6の表面と接触してドレイン電極12が形成される。また、p拡散領域3と隣接してn拡散領域4が形成され、このn拡散領域4とp拡散領域3との双方の表面に接触してソース電極11が形成される。

請求項（抜粋）：

主表面を有する基板と、前記基板の主表面上に形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表面に間隔をあけて形成された第2導電型の第1と第2の不純物拡散領域と、前記第1と第2の不純物拡散領域間に位置する前記半導体層の表面上に絶縁層を介在して形成された制御電極と、前記第1の不純物拡散領域と電気的に接続される第1の主電極と、前記第2の不純物拡散領域と電気的に接続される第2の主電極と、を備え、前記第2の不純物拡散領域は、相対的に低濃度の第2導電型の不純物を含む低濃度領域と、前記低濃度領域と接続され相対的に高濃度の第2導電型の不純物を含む複数の高濃度領域とを有する、高耐圧半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-225530
特開平3-222368
横型二重拡散絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-029575 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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審査官引用 (10件)

特開平4-225530
特開平4-225530
特開平3-222368

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