特許
J-GLOBAL ID:200903071420322127

プラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 亀谷 美明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-261877
公開番号(公開出願番号):特開2000-156370
出願日: 1999年09月16日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 処理室内の接地された各部材の消耗を軽減可能な処理装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,下部電極106と,処理容器104を介して接地された上部電極108が対向配置される。下部電極106には,第1フィルタ118と第1整合器120と第1電源122から成る高周波電力供給機構114と,第2フィルタ124と第2整合器126と第2電源128から成る低周波電力供給機構116が接続される。下部電極106には,第1電源122から出力される10MHz以上の高周波電力成分と,第2電源128から出力される2MHz以上の低周波電力成分から成る2周波重畳電力が印加される。プラズマ中のイオンは,処理室102中の電界の変化に追従せずに,自己バイアス電圧によって加速されて下部電極106上のウェハWにのみに衝突する。
請求項(抜粋):
真空処理室内において,電極に周波数がfHIGHである高周波電力成分と周波数がfLOWである低周波電力成分を重畳して印加することにより処理ガスをプラズマ化し,該プラズマにより前記電極に載置された被処理体に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において,前記周波数fLOWは,前記プラズマ中のイオンが前記処理室中の電界の変化に追従できない程度の周波数に制御されることを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (4件):
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M
引用特許:
審査官引用 (4件)
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